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镀膜原理

阴极真空磁控溅射的特点：膜层厚度均匀、镀膜速度快、基板温度低。溅射镀膜利用2个原理：辉光放电、连续撞击。溅射过程是建立在气体放电基础上的，放电从低压下开始的，气体离子与靶材相互作用，LED灯杯注塑定做，离子不断的撞击靶表面，靶材从靶表面被轰击下来然后在靶附近的基片（玻璃）上沉积下来，凝结成一层薄膜。

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磁控溅射目前是一种应用十分广泛的薄膜沉积技术溅射技术上的不断发展和对新功能薄膜的探索研究，使磁控溅射应用延伸到许多生产和科研领域。在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长困难及不适用的材料薄膜沉积而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。包括欧姆接触的A1、Cu、Au、W、Ti等金属电极薄膜及可用于栅绝缘层或扩散势垒层的TiN、Ta205、Ti0、A1203、Zr02、A1N等介质薄膜沉积。

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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

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